技术编号：6956267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构的形成方法，尤其涉及。背景技术超级结MOSFET (金属-氧化层-半导体-场效晶体管)采用新的耐压层结构，利用一系列的交替排列的P型和N型半导体薄层，在较低反向电压下将P型N型区耗尽，实现电荷相互补偿，从而使N型区在高掺杂浓度下能实现高的击穿电压，从而同时获得低导通电阻和高击穿电压，打破传统功率MOSFET (包括VDM0S，垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)导通电阻的理论极限。超级结结构的传统制造方法为第一种方法是利用多次...
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