技术编号：6956600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高耐压半导体装置，特别涉及在单一的半导体衬底内形成IGBT或功 率MOSFET和回流二极管的高耐压半导体装置。背景技术近几年来，从节能的观点出发，反相器电路得到广泛使用。反相器电路控制家电 制品或产业用电力装置等的电力。通过装入反相器电路的功率半导体器件，反相器电路切 换电压或电流的接通和断开。所谓“功率半导体器件”，是IGBTansulated Gate Bipolar Transistor)或功率MOSFET(Metal-Oxide-Semi...
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