技术编号：6957243
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及。 背景技术金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种晶体管的制作方法。请参考图1至图3，为现有技术的晶体管的制作方法剖面结构示意图。请参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上形成栅介质层101和栅极102，所述栅介质层101和栅极102构成栅极结构。继续参考图1，进行氧化工艺...
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