技术编号：6957640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法，特别涉及。背景技术目前，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构包括如图1所示，位于衬底101表面的栅氧化层102、栅氧化层102上方的栅极103，栅氧化层下方的衬底表面形成的导电沟道104，分别位于栅极103两侧衬底中的源极106和漏极107，以及环绕在栅极侧壁的氮氧化物(氧化硅和氮化硅)侧墙105 (Spacer)。氮氧化物侧墙105 —方面可以保护栅极103，另一方面可以防止形成源极106和漏极107的源、漏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。