技术编号：6958491
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种不挥发电荷存储器件、其制备方法及应用，属微电子材料领域。 背景技术几十年来，集成电路的发展基本遵循了 Intel公司创始人之一的Gordon Ε. Moore 博士 1964年预言的摩尔定律在集成电路的单个芯片上集成的元件数，即集成电路的集成度，每12至18个月增加一倍，特征尺寸缩小倍。随着器件的特征尺寸越来越小，传统的浮栅型不挥发半导体存储器件面临严重的漏电问题。浮栅型存储器件中隧穿层尺寸的不断减小，以至于一个缺陷就会导致多晶硅浮栅中存储的...
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