技术编号:6958491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种不挥发电荷存储器件、其制备方法及应用,属微电子材料领域。 背景技术几十年来,集成电路的发展基本遵循了 Intel公司创始人之一的Gordon Ε. Moore 博士 1964年预言的摩尔定律在集成电路的单个芯片上集成的元件数,即集成电路的集成度,每12至18个月增加一倍,特征尺寸缩小倍。随着器件的特征尺寸越来越小,传统的浮栅型不挥发半导体存储器件面临严重的漏电问题。浮栅型存储器件中隧穿层尺寸的不断减小,以至于一个缺陷就会导致多晶硅浮栅中存储的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。