新型碳化硅肖特基二极管的制作方法技术资料下载

技术编号:6959201

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本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种应用于高压高频系统如大功率整流、 开关电源、变频器等装置中的二极管。背景技术肖特基势垒二极管(SBD)是利用金属与半导体表面接触形成势垒的非线性特性制成的功率二极管。SBD在导通过程中没有额外载流子的注入和储存,因而基本上没有反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。但是SBD的导通电阻随着其阻断电压的提高迅速增加(比导通电阻和阻断电压的 2. 5次方成正比),在较高压的SBD器件中,其导通电阻会相当大。随着对阻断电...
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