技术编号:6959206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件,具体的说,涉及一种CMOS器件及其制造方法。背景技术CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)器件是大规模集成电路中常用的基本单元。为了适应集成电路集成度的不断提高的要求, CMOS器件的线宽也必须相应地减小。但是实际应用中,CMOS器件的工作电压减小得非常有限,使得CMOS器件内部电场强度越来越大,电场强度的增加导致了热载流子效应加剧,同时也降低了 CMOS...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。