技术编号：6959320
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及。 背景技术在形成半导体集成电路器件的工艺中，惯常的平面制程是在一硅基板表面形成表层下扩散层和半导体结构。一层或多层电介质薄膜沉积在硅基板表面上，电介质层隔离所述各半导体结构，金属配线导体形成在电介质薄膜上或内，使硅基板表面上形成的各种元件互连以制成所希望的集成电路。随着半导体工艺的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，半导体器件的关键尺寸已经从90nm减小到32nm。随着半导体器件的关键尺寸的减小，半导体结构之间的间隙 (ga...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。