技术编号：6959871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的一种可防止latch up (闩锁效应)的芯片结构及方法。背景技术随着IC制造工艺的发展，芯片封装密度和集成度越来越高，产生latch up的可能 性就会越来越大。一般来说，产生latch up的条件是环路电流增益大于1，βηρη β ρηρ >=1 ；两个BJT发射极均处于正偏；能够在发射极形成一个比PNPN器件维持电流大的电 流。驱动电路由于在输出级上是大电流，在靠近驱动器件的衬底中会产生一定的位移电流， 此电流流过低压部分，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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