技术编号:6960633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主题涉及形成半导体器件的方法和通过该方法形成的半导体器件,更具体 地,涉及形成具有掩埋栅极电极的半导体器件的方法以及使用这些方法形成的器件。背景技术根据半导体器件朝向高集成度的趋势,一直在努力减小半导体器件中的组元的尺 寸和组元之间的间隔。然而,尺寸的减小存在技术限制,减小尺寸还可能降低器件特性。例 如,收窄晶体管的源/漏区之间的距离会导致不期望的短沟道效应。发明内容本发明主题的一些实施例提供制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底的单元 有源区和周边...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。