技术编号：6960693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造，尤其涉及一种纳米线以及纳米线 晶体管的制作方法。背景技术自集成电路发明以来，其性能一直稳步提高。性能的提高主要是通过不断缩小集 成电路器件的尺寸来实现的。目前，集成电路器件(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor or Field-Effect Transistor)的特征尺寸已缩小到纳米尺度。在此尺度下，各种基 本的和实际的限制开始出现，使得建立在硅平面CM0S(Complementary Me...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。