技术编号：6961304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种改善热载流子效应的半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导休器件的集成度变得更高，晶体管源极和漏极间的距离越来越小。随着 源极与漏极间的沟道区由于漏极的高度集成而变得更短，变短的沟道区将引发短沟道效 应。短沟道效应将引发沟道热载流子注入效应(Channel HotElectron Injection)。沟道 热载流子注入效应是小尺寸MOSFET中热载流子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注 入效应，即是沟道中部...
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