技术编号：6977280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到半导体互连冶金学，更具体地说，涉及到互连冶金技术的阻挡层及其制作方法。背景技术 先进的半导体技术将铜互连冶金技术用于集成电路中有源器件的连接。典型的互连冶金学技术使用嵌入或双嵌入工艺。嵌入工艺的引线具有很窄的线条、大(大于1)的高宽比(高度除以宽度)以及高密度的特点。在嵌入工艺中，在介电层中腐蚀沟槽。淀积足够厚的导电层来填充沟槽，然后用化学机械抛光(CMP)工艺除去淀积在介电层表面上的导体。在CMP工艺之后，只留下填充在沟槽中的导电层，使填充的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。