半导体器件的互连的制作方法技术资料下载

技术编号:6977280

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本发明涉及到半导体互连冶金学,更具体地说,涉及到互连冶金技术的阻挡层及其制作方法。背景技术 先进的半导体技术将铜互连冶金技术用于集成电路中有源器件的连接。典型的互连冶金学技术使用嵌入或双嵌入工艺。嵌入工艺的引线具有很窄的线条、大(大于1)的高宽比(高度除以宽度)以及高密度的特点。在嵌入工艺中,在介电层中腐蚀沟槽。淀积足够厚的导电层来填充沟槽,然后用化学机械抛光(CMP)工艺除去淀积在介电层表面上的导体。在CMP工艺之后,只留下填充在沟槽中的导电层,使填充的...
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