技术编号：6986766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。和背景技术本发明涉及制造位于氧化物或氮化物绝缘层中的孔的方法。在用于电子、微电子和光电子应用的如(绝缘体上半导体)型结构体等多层结构体的制造中，通常是例如在如硅晶片等半导体材料的晶片之间插入绝缘层。此外，可能需要在绝缘结构体中形成微孔或微泡。这尤其是在要使结构体能够在绝缘层处分离时适用，如文献W0-A-2005/034218中所述。例如，文献"Structural and nuclear characterizations of defects creat...
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