技术编号：6986972
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。领域本发明的实施例大致涉及基板处理方法，更明确地，本发明的实施例涉及在基板上沉积层的方法。背景随着诸如晶体管、存储器、光伏电池等的各种器件的关键尺寸不断变小，这些器件的各元件之间的界面实质上变得更加重要。例如，各元件之间的界面的不期望污染物会造成结电阻的增加、寄生电容或其他不期望的结果。例如，在基板或薄膜上沉积层之前，可去除原生氧化物，以制备用于沉积层的基板或薄膜的表面。本发明人已经发现原生氧化物的去除是不充分的，并且发现残留于基板或薄膜的表面上的污染物高...
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