技术编号:6988010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭示内容大体有关于有包含金属支柱的金属化系统的集成电路,且更特别的是有关于用以减少由芯片与封装件间的热失配(thermal mismatch)造成的芯片-封装件相互作用的技术。背景技术半导体器件通常在由任何适当材料制成的实质圆盘形基板上形成。目前以及在可预见的未来,会基于硅来制造含有高度复杂电子电路的大多数半导体器件,从而致使硅基板及含硅基板(例如,SOI (绝缘层上覆硅)基板)成为用于形成半导体器件(例如,微处理器、SRAM、ASIC(特殊应用集成电路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。