技术编号：6988101
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)等器件的制造，并且特别地，本发明关于形成供此类器件所用的基板的方法。背景技术III族氮化物半导体，如氮化镓(gallium nitride，GaN)，在多种半导体器件，如短波长发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)，以及包含高功率、高频、高温晶体管及集成电路的电子器件的发展及制造上具有很大的重要性。目前已被使用来沉积III族氮化物的方法之一为氢化物气相外延(hydride vapor phase...
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