技术编号：6988849

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本公开涉及纳米构造工艺。更具体地讲，本公开涉及新的以原子层精度蚀刻固体表面的循环工艺。背景技术原子层沉积(ALD)是一种纳米制造工艺，其已经变成生长高介电常数材料的重要方法，高介电常数材料也被称作“高k材料”，用于取代二氧化硅(Si02)作为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅电介质。也被称作“数字蚀刻”的原子层蚀刻(ALET)已经发展为ALD的替代工艺。最初报道的ALET是用交替的氯气(Cl2)吸附和电子束蚀刻进行的砷化镓(GaAs)蚀刻。...
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