技术编号：6991763
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在流动式CVDエ艺所形成的介电材料上进行的湿法氧化工-H-背景技术发明的领域本发明关于处理诸如半导体晶片的基板的方法，具体而言，是关于用以湿法氧化设置于基板上的介电材料的方法。 相关技术的描述可靠地制造次半微米以及更小的特征结构是用于下一代半导体装置的超大型集成电路(very large scale integration, VLSI)以及极大型集成电路(ultra large-scaleintegration, ULSI)的关键技术之一。然而，随着集成电...
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