技术编号：6992436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言涉及多层式晶体结构的制备方法。背景技术包括诸如硅锗或蓝宝石层的具有器件质量表面的器件层和具有与器件层的材料不同的晶格结构的硅衬底的多层式结构被用于各种不同目的。这些多层式结构典型包括具有不同热膨胀系数的多个材料层。然而，在制造这样的结构期间，在多层式结构被加热时，不同的热膨胀率在多层式结构中可产生极大的应力，这会使器件层或衬底破裂。这一点严重限制了这些不同类的对在制造期间可被暴露到的最大温度。包括接合到衬底的器件质量层(device qual...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。