技术编号：6993122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件以及其制造方法，且特别是涉及一种非易失性存储器以及其制造方法。背景技术非易失性存储器元件由于具有可进行多次数据的存入、读取、擦除等动作且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的非易失性存储器元件一般被设计成具有堆叠式栅极(Stacked-Gate)结构，其中包括以掺杂多晶硅制作的浮置栅极(Floating Gate)与控制栅极(Control Gate)。 浮置栅极位于控制栅...
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