技术编号：6993140
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其涉及一种以变氧化率钛氧化物 为存储介质的非易失性存储阵列制备方法。背景技术目前，占据主要市场份额的非易失性存储阵列是电容电荷型的FLASH存储阵列。 随着微电子工艺的发展，存储单元的尺寸逐渐变小，存储阵列的集成密度也不断提高。而 FLASH存储单元的尺寸减小到纳米量级后，其性能急剧降低，功耗急剧上升。因此，研发纳米 尺度下能够正常工作的非易失性存储阵列迫在眉睫，已成为研究热点。电阻开关阵列是一种能够在纳米尺度正常工作的非易失性存储阵列。非易...
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