技术编号：6993745
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其是。 背景技术目前,在Super Junction (超级结)制造工艺中，因为光刻在形成trench (沟槽) 时如果光刻去边的话会引起刻蚀后silicon grass (娃尖刺)，从而会影响yield (良率)， 而不去边会有很多的particles (微粒或颗粒)带到酸槽造成污染，造成无法量产的局面。如图2所示，目前现有的超级结的沟槽制造工艺的具体工艺流程为A在硅基板I上淀积ONO层(底层氧化硅2-中间氮化硅3_顶...
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