技术编号：6994640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有单一端子响应的场效应晶体管(field effect transistors, FETs)，尤其涉及一般的外延层结构，上述外延层形成的沟道包括导电带电子的正偏压及负偏压两者，以应用于兼具η端及ρ端特性的场效应晶体管中。背景技术传统的互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor, CMOS)技术利用导电带电子(conduction band electrons)在装置中形成具有η端特性的...
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