技术编号:6995699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造,具体涉及一种适用于铜互连的抗铜扩 散阻挡层及其制备方法。背景技术在现代集成电路的铜互连技术中,有效的阻挡层必须既能阻止铜扩散进入介质 层,又能改善阻挡层与介质层之间的粘附性[1]。众所周知,在0. 13微米的技术节点中,Ta/ TaN双层阻挡层已经被成功应用于工业铜互连技术中。然而,随着集成电路最小特征尺寸逐 渐缩小到45/32纳米或者更小,Ta/TaN双层阻挡层将面临着很多的问题,比如阻挡层和铜 种籽层的等比例缩小将面临严重...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。