技术编号：6997632
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体测试技术，特别涉及一种量化栅极电阻对器件特性影响的测试结构。背景技术随着MOS (Metal-Oxide-Semiconductor,金属氧化物半导体)晶体管尺寸的缩小，栅极电阻对MOS晶体管特性的影响逐渐增大，特别是在45纳米及以下工艺，在MOS晶体管模型建立时需要将该因素引入。考虑栅极电阻对MOS晶体管特性的影响时，MOS晶体管的模型如图2所示，主要是在MOS晶体管栅极上加一个电阻元件Rg,该电阻元件Rg可表示为MOS晶体管的沟道长度 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。