技术编号：6998438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有 金属栅极(metal gate)的半导体元件的制作方法。背景技术在已知半导体产业中，多晶硅广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor, M0S)晶体管中，作为标准的栅极材料选择。然而，随着MOS晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶娃栅极因硼穿透(boron penetration)效应导致元件效能降低，及其难以避免的耗层效应(depletion effect)等问题,使得等效的栅极介电层厚度增...
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