技术编号：7001838
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铜大马士革工艺，尤其涉及一种铜大马士革工艺金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal，简称MIM)电容结构及制造方法。背景技术随着半导体器件特征尺寸的减小，半导体后段铜制程取代铝制程成为主流工艺。 在混合信号和射频电路中，开发能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感的铜大马士革工艺的 MIM电容结构及制造流程成为必要。这不仅改善了工艺的复杂性；而且使用低电阻铜作为电极板可改善MIM电容性能。专利US63^234，铜工艺兼容CMO...
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