技术编号：7002201
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件，具体涉及，该隧穿场效应晶体管的驱动能力与金属-氧化物-半导体场效应晶体管相当。背景技术在集成电路器件技术发展中，器件的尺寸按摩尔(Moore)定律不断缩小；由按比例缩小理论，当沟道长度不断缩小时，短沟道效应愈加明显。这会使得器件泄漏严重，难以满足实际应用要求，甚至不能正常工作。因此，有必要寻求新器件方案来满足未来新一代器件的性能要求。而隧穿场效应晶体管是一种新型工作机制的器件，可以突破亚阈斜率60mV/ dec的局限，同时它可以抑制短...
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