技术编号：7002456
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，且特别是涉及一种应用在闪存(flash memory)的。背景技术 在半导体制作工艺中，为保护集成电路免于遭到外界环境的影响，例如水气(moisture)、外来杂质、及机械性的伤害，通常会在集成电路的上方沉积保护层(passivation)。常见的保护层材料例如是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、及磷硅玻璃(Phosphosilicate Glass，PSG)。目前的集成电路由于集成度增加，为配合MOS晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。