技术编号：7002940
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及半导体器件，更具体地，涉及一种，其包括形成在通路结构(Via structure)的顶表面的局部上的导电结构。背景技术导线和通路(via)通常用作互连结构以形成半导体器件的集成电路。通路用于连接形成在互连层的多个层面上的导线。此外，贯穿硅衬底形成过硅通路(through silicon vias,TSV)以用于耦接多个集成电路芯片从而形成堆叠半导体器件。这样的堆叠半导体器件形成来提供具有高性能和低面积的集成电路。对于任何类型的通路，期望导线以...
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