技术编号：7005004

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本发明涉及一种高压二极管(high voltage diode, HV Diode),尤指一种利用导电型漂移环来提供稳定崩溃电压的高压二极管元件。背景技术双重扩散漏极(double diffuse drain, DDD)主要是一种应用于高压金属氧化半导体(high voltage metal oxide semiconductor, HVM0S)晶体管的二极管(diode),用来提供HVMOS晶体管较高的崩溃电压(breakdown voltage)以防止...
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