技术编号：7005437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种记忆体装置及其制造方法，特别是涉及一种。背景技术在先前技术中，一非挥发性记忆体装置包括一基板、一浮动栅极、一控制栅极和一绝缘体。该绝缘体设置在该基板和该控制栅极之间，且该浮动栅极埋入该绝缘体中。该绝缘体包括一穿隧氧化层和一多晶硅间介电层。该穿隧氧化层设置在该基板和该浮动栅极之间，且该多晶硅间介电层设置在该浮动栅极和该控制栅极之间。采用小于20纳米技术层次的制造过程，具有上述结构的浮动栅极记忆体单元被生产出来。该浮动栅极记忆体单元在该浮动栅极的...
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