技术编号:7007569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,包括以下步骤,步骤一,在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离,在晶圆正面进行金属互连;步骤二,对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理;步骤三,在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽;步骤四,在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。在硅衬底背面蚀刻沟槽,可以减少在晶圆正面刻蚀深沟槽造成的等离子体损伤,同时又能保证器件的隔离的效果。专利说明—种器件隔离的方法[0001]本发明涉及。背景技术[0002]互补型金属氧化物半导体(CMOS)由P型金属氧化...
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