技术编号：7008664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，该刻蚀方法包括在最外层绝缘层的表面形成具有刻蚀窗口的掩膜层；以等离子体物理轰击刻蚀为主、化学刻蚀为辅对所述刻蚀窗口进行刻蚀，形成过孔；去除所述掩膜层，并进行去静电处理。本发明所提供的刻蚀方法在进行叠层绝缘薄膜刻蚀时，以等离子体物理轰击刻蚀为主、化学刻蚀为辅，通过降低化学刻蚀作用，以减小各绝缘层横向刻蚀速率的差值，使得各绝缘层的横向刻蚀速率相近，从而避免了发生底切问题，保证了过孔的有效性。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件制作工艺，更具体...
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