技术编号：7010263
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种相变存储单元，包括衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料为Nb2O5，本发明提供的相变存储单元，在两层相变材料中加入阻挡层，通过控制阻挡层材料的性质及厚度，减小了操作电流，尤其减小多晶向非晶转化时的操作电流，实现了1D1R高密度集成，减小器件的功耗。另外，本发明还提供了一种相变存储单元的制备方法。...
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