技术编号：7013152
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种制备自对准栅GaNHEMT器件及方法，其结构包括GaNHEMT的沟道层、势垒层、源漏金属、Al2O3介质、离子注入隔离区和栅金属；其制备方法，1）在洁净的GaN外延材料上沉积Si3N4介质牺牲层；2）刻蚀Si3N4介质牺牲层，漏出源漏区域；3）蒸发剥离源漏金属5；4）淀积一层Al2O3介质、刻蚀；5）获得隔离图形后进行注入隔离；6）去除隔离掩模；7）掩模刻蚀Si3N4介质牺牲层，漏出栅区域；8）蒸发剥离栅金属，形成自对准栅；9）蒸发剥离金属Au...
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