技术编号：7015285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。该方法包括以下步骤一是采用高温超导薄膜加工工艺，在介质基片两侧制作形成超导薄膜层；二是采用磁控溅射技术，在超导薄膜层上制作形成金膜层；三是采用光刻工艺，在超导薄膜层和金膜层上形成对准参考标记、耦合器线条和电极图形，得到耦合器交指；四是根据耦合器交指，采用金丝键合或金膜桥接工艺，制作形成耦合器交指间的互联。由以上技术方案可知，本发明制备的高温超导Lange耦合器工作在低温条件77K下，插损值远小于常规薄膜技术制备的Lange耦合器，从而可使低噪声...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。