技术编号：7016195
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。该包括步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成规律的石墨烯阵列；步骤3、在形成有该石墨烯阵列的该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。本发明能够控制多晶硅形成时的生长方向，进而可以提高多晶硅晶粒大小。专利说明[0001]本发明涉及液晶显示，尤其涉及一种。背景技术[0002]随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。不同于非晶硅电子迁移率低，低温多晶硅因可在低温下制作，具有高的电子...
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