技术编号：7016216
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种基于SOI衬底的压电悬臂梁传感器结构及制造方法，该方法包括在SOI衬底中形成具有与悬臂梁结构相对应的悬臂梁区域；在悬臂梁区域上依次形成下电极、第一层压电薄膜、中间电极、第二层压电薄膜和上电极；沿悬臂梁区域边缘依次刻蚀顶层硅层、埋氧化层和衬底硅层，形成底部延伸至衬底硅层的沟槽；在上述结构上沉积隔离层；去除沟槽底部的隔离层并露出衬底硅层，以形成悬臂梁结构的释放窗口；以及通过释放窗口进行释放工艺，刻蚀悬臂梁区域下方的衬底硅层，以形成悬臂梁结构。本发明通过采用...
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