技术编号：7016547

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,尤其是具有高耦合衰减的的制造方法一种,尤其是具有高耦合衰减的。本发明涉及一种(10a)，包含第一导电轨(20a)；第二导电轨(22a)；以及导电结构(24a)，所述导电结构包含第一部分区域(28a)，与第一导电轨(20a)靠近第二导电轨(22a)布置相比，所述第一部分区域更靠近第一导电轨(20a)布置，并且所述导电结构包含第二部分区域(30a)，与第一导电轨(20a)靠近第二导电轨(22a)布置相比，所述第二部分区域更靠近第二导电轨(22a)布置。专利说...
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