技术编号:7017335
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种半导体器件。所述器件具有分离沟槽栅结构。该分离沟槽栅结构包括一个屏蔽电极和两个栅电极,其中屏蔽电极的大部分位于栅电极之下,屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间,延伸到器件的顶面。该器件进一步包括源金属层,在器件顶面与初始层,阱区,源区和屏蔽电极接触,其中源金属层与初始层的接触形成了集成的肖特基二极管。专利说明半导体器件[0001]本实用新型涉及半导体器件领域,特别是涉及半导体功率器件。背景技术[0002]随着电子技术的不断发展,反相放大...
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