技术编号:7018207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中在干蚀刻后及灰化后残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的组合物,以及使用该组合物的残渣除去方法。背景技术近年来,半导体电路元件不断向微型化、高集成化方向发展,随之,需要元件结构的微型化,开始采用新的布线材料或层间绝缘膜材料。布线材料使用铜以及以铜为主要成分的铜合金,层间绝缘膜材料使用代表较低介电常数(Low-k)的芳醚化合物的有机类材料、在二氧化硅膜中导入有甲基(-CH3)的310013类材料。另外,Lo...
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