技术编号：7023776

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本发明的实施例涉及自动工艺控制的领域，更具体涉及发光二极管(LED)膜堆迭中的外延生长材料层的测量方法及控制。相关技术描述II1-V族材料在半导体器件及相关(例如发光二极管(LED))工业中扮演的角色越来越举足轻重。尽管使用外延生长于基板上的多量子阱(MQW)结构的器件(诸如LED)为有前途的技术，但由于所形成的极薄材料层以及取决于那些层的材料特性及物理特性的器件性质(例如，发射波长)，此类结构的外延生长是困难的。MQff结构的材料特性和/或物理特性取决于...
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