技术编号：7028103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构和制造方法，更具体而言，涉及不对称异质结构FET和制造方法。背景技术对于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能改善已经有重要的调查研究。但是，一个主要的挑战是MOSFET的缩放(scaling)以提升驱动电流而没有短沟道性能和关断状态泄漏电流的劣化。为了改善性能，薄限制半导体沟道区域(例如SiGe)已吸引了注意，这是由于其在减小的带隙层中的空穴限制(hole confinement),该空穴限制转而导致PM0SFET短沟道效...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。