技术编号：7035947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。嵌入式晶体管本发明一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及嵌入式晶体管。背景技术通常，互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管包括栅电极和栅极介电层，该栅电极和栅极介电层形成在衬底(通常为硅半导体衬底)上方。通过向衬底注入N型或P型杂质，在栅电极的相对侧形成轻掺杂漏极。氧化物衬垫和一个或多个注入掩模(通常被称为隔离件)形成为与栅电极相邻，并实施额外的注入以完成源极区域/漏极区域。然后，流过源极区域/漏极区域的电流可以通过控制施加给栅电极的电压电平来控制。CM...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。