技术编号：7037002
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明为具有由双重降低表面电场构造构成的高耐压分离构造的半导体装置，具备分离低电位区和高电位区的高耐压分离构造。高耐压分离构造的平面形状为环形的带状，由直线部分和与该直线部分连接的角部分构成。在高耐压分离构造中，在n型阱区的基板正面侧的表面层，沿n型阱区的外周形成p型降低表面电场区。通过使角部分的降低表面电场区的单位面积的总杂质量相比于直线部分而减少，可以使成为角部分的耐压曲线(32)的峰值的注入剂量的位置(32a)与成为直线部分的耐压曲线(31)的峰值的...
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