技术编号：7037755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在形成于P半导体衬底（1)上的n分离区域(2)形成构成高压侧驱动电路的MV-PM0S(20)和MV-NM0S(30)?MV-NM0S(30)形成于n分离区域（2)内部的中间电位（Vs)的p分离区域（3)。在p半导体衬底（1)的表面层的、n分离区域（2)的外侧设置n外延区域（12)，在其外侧设置地电位（GND)的pGND区域（41)。在高压侧驱动电路与pGND区域（41)之间的、p半导体衬底（1)与n外延区域(12)之间设置空洞（11)，并设置贯穿n外延区域...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。