技术编号：7041082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中噻吩或噻吩衍生物的聚合物形成粉末，掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。专利说明—种铁电存储器的制造方法[0001]本发明涉及用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜。背景技术[0002]基于半导体的非易失性存储器在数据存储...
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