技术编号：7041265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体装置包含基板、异质结构体、保护层、源极、漏极与栅极。异质结构体置于基板上，异质结构体包含第一半导体层、遮罩层、成长层与第二半导体层。第一半导体层置于基板上。遮罩层置于部分的第一半导体层上。成长层置于第一半导体层上，且毗邻遮罩层设置。成长层包含主体部与至少一倾斜部。第二半导体层置于遮罩层与成长层上。保护层置于第二半导体层上，且至少置于遮罩层与成长层的倾斜部的上方。源极与漏极分别与异质结构体电性耦合。栅极置于保护层上，置于源极与漏极之间，并至少置于成...
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